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TPH3205WSBQA

厂商名称: Transphorm

TPH3205WSBQA元件分类: 晶体管

TPH3205WSBQA中文描述:
650V 49mΩ AEC-Q101 Qualified GaN FET in TO-247。它结合了最先进的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET技术 - 提供卓越的可靠性和性能。
TPH3205WSBQA英文描述:
650V 49mΩ AEC-Q101 Qualified GaN FET in TO-247.It combines state-of-the-art high voltage GaN HEMT and low voltage silicon MOSFET technologies—offering superior reliability and performance.The device is also automotive qualified, having passed the Automotive Electronics Council’s AEC-Q101 stress tests for automotive-grade discrete semiconductors.
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650V 49mΩ AEC-Q101 Qualified GaN FET in TO-247。它结合了最先进的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET技术 - 提供卓越的可靠性和性能。
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TPH3205WSBQAVDS (V) 最小值 650
TPH3205WSBQAV(TR)DSS (V) 最大值 800
TPH3205WSBQARDS(on)eff(mΩ)最大值* 62
TPH3205WSBQAQRR (nC) 典型值 136
TPH3205WSBQAQG (nC) 典型值 28

目前在售TPH3205WSBQA的授权分销商:

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